Structure of group iii nitride seed crystal substrate and method for producing group iii nitride crystal

WO2025032873 Art A1 13. Februar 2025

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY, PANASONIC HOLDINGS CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025032873
Aktenzeichen: EP24851307
Anmeldetag: 7. März 2024
Veröffentlichung: 13. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/02C30B25/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: OSAKA UNIVERSITY
PANASONIC HOLDINGS CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

55.053 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von