Siliciumcarbidhalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
WO2025032939
Art A1
13. Februar 2025
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025032939
- Aktenzeichen
- EP24851373
- Anmeldetag
- 31. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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