Diamond substrate and method for manufacturing diamond substrate

WO2025033018 Art A1 13. Februar 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025033018
Aktenzeichen: EP24851449
Anmeldetag: 28. Juni 2024
Veröffentlichung: 13. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/04C23C16/27C23C16/511C30B25/18H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen