Method for manufacturing semiconductor substrate and composition for forming underlayer film for metal-containing resist

WO2025033138 Art A1 13. Februar 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025033138
Aktenzeichen: EP24851567
Anmeldetag: 19. Juli 2024
Veröffentlichung: 13. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G77/12C08G77/24H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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