Laterally-diffused metal-oxide semiconductor device and preparation method therefor
WO2025035878
Art A1
20. Februar 2025
Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025035878
- Aktenzeichen
- EP24853293
- Anmeldetag
- 22. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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