Area selective atomic layer deposition method, apparatus therefor, and hzo material film structure manufactured thereby

WO2025037954 Art A1 20. Februar 2025

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025037954
Aktenzeichen: EP24854505
Anmeldetag: 23. Juli 2024
Veröffentlichung: 20. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/455C23C16/40C07F7/00C23C16/56C23C16/02C23C16/34H01L21/02H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Organische Chemie

Vertreten von