Three-dimensional memory chip array circuit, three-dimensional memory and electronic device

WO2025039477 Art A1 27. Februar 2025

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025039477
Aktenzeichen: EP24855211
Anmeldetag: 5. Februar 2024
Veröffentlichung: 27. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/06H10B12/00G11C16/24G11C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von