Manufacturing method for silicon carbide semiconductor structure, and silicon carbide semiconductor structure
WO2025039961
Art A1
27. Februar 2025
Anmelder: ZHUHAI GREE ELECTRONIC COMPONENTS CO., LTD., GREE ELECTRIC APPLIANCES, INC.OF ZHUHAI 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025039961
- Aktenzeichen
- EP24855687
- Anmeldetag
- 14. August 2024
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ZHUHAI GREE ELECTRONIC COMPONENTS CO., LTD.
GREE ELECTRIC APPLIANCES, INC.OF ZHUHAI - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
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