Nitride semiconductor epitaxial wafer and method for manufacturing nitride semiconductor epitaxial wafer

WO2025041458 Art A1 27. Februar 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD., SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025041458
Aktenzeichen
EP24856153
Anmeldetag
5. Juli 2024
Veröffentlichung
27. Februar 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/205C30B25/02C30B29/38H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen