Nitride semiconductor epitaxial wafer and method for manufacturing nitride semiconductor epitaxial wafer
WO2025041458
Art A1
27. Februar 2025
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD., SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025041458
- Aktenzeichen
- EP24856153
- Anmeldetag
- 5. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C30B25/02C30B29/38H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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