Threshold switching field-effect transistors and methods thereof
WO2025042342
Art A1
27. Februar 2025
Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025042342
- Aktenzeichen
- EP24856914
- Anmeldetag
- 16. August 2024
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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