Ito thin-film transistor with high withstand voltage and low on-resistance, and preparation method therefor
WO2025044156
Art A1
6. März 2025
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025044156
- Aktenzeichen
- EP24857709
- Anmeldetag
- 18. März 2024
- Veröffentlichung
- 6. März 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/34H01L21/44H10D62/10H10D62/13H10D64/27H10D30/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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Fachgebiete
Vertreten von
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