Semi-insulating sic-substrate for a semiconductor device
WO2025045344
Art A1
6. März 2025
Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025045344
- Aktenzeichen
- EP23761920
- Anmeldetag
- 28. August 2023
- Veröffentlichung
- 6. März 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265H01L21/223
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI ENERGY LTD
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy
Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.
1.608 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.