Production method for semiconductor substrate and composition for resist underlayer formation

WO2025047565 Art A1 6. März 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025047565
Aktenzeichen: EP24859598
Anmeldetag: 22. August 2024
Veröffentlichung: 6. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G61/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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