Silicon carbide substrate, method for producing epitaxial substrate, and method for producing semiconductor device

WO2025047656 Art A1 6. März 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025047656
Aktenzeichen: EP24859689
Anmeldetag: 26. August 2024
Veröffentlichung: 6. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/06H01L21/20H01L21/205H10D30/01H10D30/47H10D30/87

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von