Silicon Nitride Substrate

WO2025047685 Art A1 6. März 2025

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025047685
Aktenzeichen: EP24859717
Anmeldetag: 26. August 2024
Veröffentlichung: 6. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/587H01L23/15H05K1/03

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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