Method To Tune Gate Work Function in P-Gan Gate E-Mode Hemt

WO2025052364 Art A1 13. März 2025

Anmelder: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025052364
Aktenzeichen: EP24862219
Anmeldetag: 6. November 2024
Veröffentlichung: 13. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D64/60H10D62/824

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

Das Indian Institute of Science ist eine indische Forschungsuniversität mit Sitz in Bengaluru. Das Patentportfolio verteilt sich breit über Medizintechnik, Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiter- und Softwaretechnik. Die Anmeldungen decken den Zeitraum von 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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