Method of making high robustness e-mode high electron mobility transistor

WO2025052365 Art A1 13. März 2025

Anmelder: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025052365
Aktenzeichen: EP24862220
Anmeldetag: 6. November 2024
Veröffentlichung: 13. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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