Method for producing aln single crystal substrate and aln single crystal substrate

WO2025052587 Art A1 13. März 2025

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025052587
Aktenzeichen: EP23951485
Anmeldetag: 6. September 2023
Veröffentlichung: 13. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B1/12C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von