Vertical diode and method for manufacturing vertical diode

WO2025053187 Art A1 13. März 2025

Anmelder: PI-CRYSTAL INC., THE UNIVERSITY OF TOKYO, NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025053187
Aktenzeichen: EP24862839
Anmeldetag: 4. September 2024
Veröffentlichung: 13. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10K10/20H10D8/01H10D8/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: PI-CRYSTAL INC.
THE UNIVERSITY OF TOKYO
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von