Composition for forming protective film, protective film, method for manufacturing substrate, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025053259 Art A1 13. März 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025053259
Aktenzeichen: EP24862908
Anmeldetag: 6. September 2024
Veröffentlichung: 13. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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