Annular gate plasma transistor and manufacturing method therefor

WO2025056089 Art A1 20. März 2025

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025056089
Aktenzeichen: EP24864802
Anmeldetag: 5. November 2024
Veröffentlichung: 20. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01J21/10H01J19/38H01J19/54H01J9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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