Junction field-effect transistor and associated manufacturing method

WO2025056473 Art A1 20. März 2025

Anmelder: INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE, UNIVERSITE GRENOBLE ALPES, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE, UNIVERSITE SAVOIE MONT BLANC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025056473
Aktenzeichen: EP24768102
Anmeldetag: 9. September 2024
Veröffentlichung: 20. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: B01L3/00G01N27/414H10D62/83H10D30/83

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE SAVOIE MONT BLANC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Institut Polytechnique de Grenoble

Französische Ingenieurhochschule (Grenoble INP) mit Forschungsschwerpunkten in Informatik, Elektrotechnik, Materialwissenschaften und Energietechnik.

364 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

13.133 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von