Reduction of edge transistor leakage of n-type edmos and ldmos devices
WO2025057843
Art A1
20. März 2025
Anmelder: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025057843
- Aktenzeichen
- EP24776029
- Anmeldetag
- 4. September 2024
- Veröffentlichung
- 20. März 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Murata Manufacturing
Japanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Kyoto. Murata entwickelt und produziert elektronische Bauelemente wie Kondensatoren, Sensoren und Kommunikationsmodule für Elektronikgeräte.
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Vertreten von
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