Multilayered gallium nitride structure and method for producing multilayered gallium nitride structure

WO2025058053 Art A1 20. März 2025

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025058053
Aktenzeichen: EP24865552
Anmeldetag: 13. September 2024
Veröffentlichung: 20. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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