Verfahren zur Erzeugung Tiefliegender P-N-Übergänge in einem Bcd-Prozess, Bcd-Substrat und Darauf Basierende Einzelphotonen-Lawinendiode

WO2025061844 Art A1 27. März 2025

Anmelder: ELMOS SEMICONDUCTOR SE 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025061844
Aktenzeichen: EP24772686
Anmeldetag: 19. September 2024
Veröffentlichung: 27. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10F10/18H10F71/00H10F39/12H10F39/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ELMOS SEMICONDUCTOR SE
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Elmos Semiconductor

Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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