Method for evaluating crystallinity of 3c-sic film

WO2025062921 Art A1 27. März 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025062921
Aktenzeichen: EP24868002
Anmeldetag: 20. August 2024
Veröffentlichung: 27. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/02H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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