Method for producing silicon carbide single crystal and device for producing silicon carbide single crystal
WO2025063035
Art A1
27. März 2025
Anmelder: DENSO CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025063035
- Aktenzeichen
- EP24868114
- Anmeldetag
- 2. September 2024
- Veröffentlichung
- 27. März 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DENSO CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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