Silicon carbide substrate, silicon carbide epitaxial substrate, method for producing silicon carbide semiconductor device, and method for producing silicon carbide crystal

WO2025063054 Art A1 27. März 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025063054
Aktenzeichen: EP24868132
Anmeldetag: 5. September 2024
Veröffentlichung: 27. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B11/00C30B13/14C30B23/06H01L21/20H01L21/203H10D12/00H10D30/01H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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