Chemical vapor deposition growth of hexagonal boron nitride films and nanostructures

WO2025064327 Art A1 27. März 2025

Anmelder: UT-BATTELLE, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025064327
Aktenzeichen: EP24868980
Anmeldetag: 16. September 2024
Veröffentlichung: 27. März 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34C23C16/46C01B21/064C01B35/14C04B35/583C23C14/06C23C16/52H01J37/32C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: UT-BATTELLE, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 UT-Battelle

UT-Battelle ist der Betreiber des Oak Ridge National Laboratory in den USA, ein Gemeinschaftsunternehmen der University of Tennessee und des Battelle Memorial Institute. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Metallurgie und Werkstoffe ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

498 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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