Nonvolatile ferroelectric semiconductor memory and preparation method

WO2025067499 Art A1 3. April 2025

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025067499
Aktenzeichen: EP24871034
Anmeldetag: 27. September 2024
Veröffentlichung: 3. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B51/30H10D30/60H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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