Manufacturing method for nitride semiconductor epitaxial substrate, nitride semiconductor epitaxial substrate, and platform substrate for nitride semiconductor epitaxial substrate
WO2025069792
Art A1
3. April 2025
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025069792
- Aktenzeichen
- EP24871594
- Anmeldetag
- 21. August 2024
- Veröffentlichung
- 3. April 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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