Method for producing silicon carbide single crystal
WO2025069959
Art A1
3. April 2025
Anmelder: PROTERIAL, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025069959
- Aktenzeichen
- EP24871759
- Anmeldetag
- 3. September 2024
- Veröffentlichung
- 3. April 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B11/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PROTERIAL, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Proterial
Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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