Method for producing a composite structure for microelectronics, optics or optoelectronics

WO2025073392 Art A1 10. April 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025073392
Aktenzeichen: EP24718185
Anmeldetag: 9. April 2024
Veröffentlichung: 10. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/68H01L21/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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