Method for producing gallium arsenide monocrystal, method for producing gallium arsenide monocrystal substrate, gallium arsenide monocrystal substrate, and gallium arsenide monocrystal

WO2025074545 Art A1 10. April 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025074545
Aktenzeichen: EP23954757
Anmeldetag: 4. Oktober 2023
Veröffentlichung: 10. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/42

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von