Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching device, surface treatment gas composition, and etching gas composition containing surface treatment material
WO2025074942
Art A1
10. April 2025
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025074942
- Aktenzeichen
- EP24874546
- Anmeldetag
- 26. September 2024
- Veröffentlichung
- 10. April 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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