Selective etch of stack below metal mask using oxygen and fluorine

WO2025075828 Art A1 10. April 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025075828
Aktenzeichen: EP24875160
Anmeldetag: 24. September 2024
Veröffentlichung: 10. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/308H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von