Indium phosphide single crystal substrate, method for producing indium phosphide single crystal substrate, and indium phosphide single crystal ingot
WO2025079255
Art A1
17. April 2025
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025079255
- Aktenzeichen
- EP23955503
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2023
- Veröffentlichung
- 17. April 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/40C30B11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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