Resist underlayer film-forming composition and method for manufacturing semiconductor substrate
WO2025079408
Art A1
17. April 2025
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025079408
- Aktenzeichen
- EP24877007
- Anmeldetag
- 19. September 2024
- Veröffentlichung
- 17. April 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08F12/32G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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