Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2025079715 Art A1 17. April 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025079715
Aktenzeichen
EP24877309
Anmeldetag
11. Oktober 2024
Veröffentlichung
17. April 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H10D12/00H10D8/50H10D30/01H10D30/66H10D84/80
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen