Fabricating Filling Structures in Three-Dimensional Semiconductive Devices

WO2025081305 Art A1 24. April 2025

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025081305
Aktenzeichen: EP23818236
Anmeldetag: 16. Oktober 2023
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/10H10B43/27H10B43/50H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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