Bidirectional esd protection method and circuit of gan enhancement-mode power device, and double-gate device

WO2025081711 Art A1 24. April 2025

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025081711
Aktenzeichen: EP24878367
Anmeldetag: 18. März 2024
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D1/20H02M1/32H02M1/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTHEAST UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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