Gan-based schottky barrier diode, and preparation method therefor and application thereof

WO2025081983 Art A1 24. April 2025

Anmelder: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025081983
Aktenzeichen: EP24878635
Anmeldetag: 9. August 2024
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L/

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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