Low-threshold on-chip brillouin laser based on fp cavity

WO2025082450 Art A1 24. April 2025

Anmelder: SUN YAT-SEN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025082450
Aktenzeichen: EP24879090
Anmeldetag: 17. Oktober 2024
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01S3/067H01S3/083H01S3/108

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUN YAT-SEN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

527 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von