Silicon carbide epitaxial substrate and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2025084082 Art A1 24. April 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025084082
Aktenzeichen: EP24879508
Anmeldetag: 25. September 2024
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/44C30B33/00G01N23/2273H01L21/205H01L21/66H10D30/01H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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