Metal lines located between etch stop layers and separated by air gaps and methods of forming the same

WO2025085128 Art A1 24. April 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025085128
Aktenzeichen: EP24880331
Anmeldetag: 26. Juni 2024
Veröffentlichung: 24. April 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von