Memory system and operating method for improving rebuild efficiency
WO2025086080
Art A1
1. Mai 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025086080
- Aktenzeichen
- EP23956335
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2023
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F3/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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