Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2025089009 Art A1 1. Mai 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025089009
Aktenzeichen: EP24882126
Anmeldetag: 3. Oktober 2024
Veröffentlichung: 1. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66H10D12/00H10D30/01H10D62/10H10D84/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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