Base structure for vertical semiconductor devices, use of same, and method for manufacturing same
WO2025089116
Art A1
1. Mai 2025
Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025089116
- Aktenzeichen
- EP24882229
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/203H10D30/66H10H20/825
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
994 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.