Sintered Silicon Nitride Substrate
WO2025089218
Art A1
1. Mai 2025
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025089218
- Aktenzeichen
- EP24882331
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C04B35/587H01L23/13H05K1/03
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKUYAMA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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Vertreten von
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