Methods of forming semiconductor cladding layers for source and drain contacts and sidewall metal contacts of a semiconductor device

WO2025090748 Art A1 1. Mai 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025090748
Aktenzeichen: EP24883318
Anmeldetag: 24. Oktober 2024
Veröffentlichung: 1. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/03H10D84/40H10D84/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.254 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von